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DLTS是一种强大的技术，专门用于研究半导体材料中缺陷的浓度以及载流子（如电子和空穴）的结合能。该技术通过在不同温度下测量电容的瞬态变化来实现对半导体内部缺陷特性的深入分析。工作原理：DLTS技术的工作流程涉及以下几个关键步骤：反向偏置：首先，将半导体结反向偏置，以耗尽大部分移动电荷载流子。